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Scanning atom probe and analysis method utilizing scanning atom probe

外国特許コード F070001789
整理番号 F070001789
掲載日 2008年1月18日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 33331803
公報番号 20030154773
公報番号 6875981
出願日 平成15年1月16日(2003.1.16)
公報発行日 平成15年8月21日(2003.8.21)
公報発行日 平成17年4月5日(2005.4.5)
国際出願番号 PCT/JP2002/002802
国際公開番号 WO 2002/093615
国際出願日 平成14年3月22日(2002.3.22)
国際公開日 平成14年11月21日(2002.11.21)
発明の名称 (英語) Scanning atom probe and analysis method utilizing scanning atom probe
発明の概要(英語) In a scanning atom probe (100), a surface topography of a specimen (3) is firstly analyzed by a surface topography analyzing unit (20). In the next place, an extraction electrode (5) is aligned to a desired area to be analyzed of a specimen surface. In case of analyzing electronic state of the area to be analyzed, negative bias voltage is impressed onto the specimen (3) from a direct current high voltage supply (2) and field emitted electrons are detected by a screen (9). In case of analyzing atomic arrangement and composition of the area to be analyzed, positive voltage is impressed onto the specimen (3) from the direct current high voltage supply (2) and a pulse generator (1) and positive ions generated by field evaporation are detected by a position sensitive ion detector (11) or a relfectron type mass analyzer (13).
  • 発明者/出願人(英語)
  • Nishikawa Osamu
  • Kanazawa Institute Of Technology
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 250/306
  • 250/288
  • 250/307
  • 250/309
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