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THIN NANODIAMOND FILM HAVING n-TYPE CONDUCTIVITY AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

外国特許コード F080001980
整理番号 QP060006-PC
掲載日 2008年11月27日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2007JP055855
国際公開番号 WO 2008/035468
国際出願日 平成19年3月22日(2007.3.22)
国際公開日 平成20年3月27日(2008.3.27)
優先権データ
  • 特願2006-253377 (2006.9.19) JP
発明の名称 (英語) THIN NANODIAMOND FILM HAVING n-TYPE CONDUCTIVITY AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
発明の概要(英語) A thin nanodiamond film having a higher electron mobility and a higher electron concentration than in conventional ones. A thin nanodiamond film which has n-type conductivity and comprises a nanodiamond/amorphous carbon composite film doped with impurity atoms is produced by the microwave plasma-assisted CVD method. The volume proportion of the nanodiamond particles in the thin nanodiamond film is regulated so as to be higher than the volume proportion of the amorphous carbon and impurity atoms.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • Kyushu University, National University Corporation
  • 発明者(英語)
  • Teii, Kungen
  • Ikeda, Tomohiro
  • Takeguchi, Koji
国際特許分類(IPC)
指定国 AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BE BF BG BH BJ BR BW BY BZ CA CF CG CH CI CM CN CO CR CU CY CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI FR GA GB GD GE GH GM GN GQ GR GT GW HN HR HU ID IE IL IN IS IT JP KE KG KM KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LV LY MA MC MD MG MK ML MN MR MT MW MX MY MZ NA NE NG NI NL NO NZ OM PG PH PL PT RO RS RU SC SD SE SG SI SK SL SM SN SV SY SZ TD TG TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
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