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Single crystal silicon carbide and method for producing the same

外国特許コード F090002102
整理番号 F090002102
掲載日 2009年5月22日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 47961401
公報番号 20040237879
公報番号 7527869
出願日 平成13年6月4日(2001.6.4)
公報発行日 平成16年12月2日(2004.12.2)
公報発行日 平成21年5月5日(2009.5.5)
国際出願番号 JP2001004708
国際公開番号 WO2002099169
国際出願日 平成13年6月4日(2001.6.4)
国際公開日 平成14年12月12日(2002.12.12)
優先権データ
  • 2001WO-JP04708 (2001.6.4) WO
発明の名称 (英語) Single crystal silicon carbide and method for producing the same
発明の概要(英語) (US7527869)
The invention is a high-temperature liquid phase growth method using a very thin Si melt layer and characterized in that there is no need of strict temperature difference control between the growing crystal surface and a raw material supply polycrystal, and control of impurity addition is possible.
The grown single crystal SiC is characterized in that no fine grain boundaries exist therein, the density of micropipe defects in the growth surface is 1/cm2 or less, and the crystal has a terrace of 10 micrometer or more and a multi-molecular layer step as the minimum unit of a three-molecular layer.
特許請求の範囲(英語) [claim1]
1. A silicon carbide single crystal, comprising: a terrace of more than 10 micrometer in width, andno fine grain boundaries of the threading screw dislocation typewhereinthe silicon carbide single crystal is epitaxial to a surface of an on-axis (0001) Si plane of a seed silicon carbide single crystal.
[claim2]
2. A method for the preparation of a single crystal silicon carbide bulk body comprising employing the single crystal silicon carbide according to claim 1 as a surface epitaxial growth layer of the single crystal silicon carbide bulk body.
[claim3]
3. The silicon carbide single crystal according to claim 1, further comprising a group III metal, wherein a p-type conductivity is obtained.
[claim4]
4. The silicon carbide single crystal according to claim 1, further comprising a group V element, wherein a n-type conductivity is obtained.
  • 発明者/出願人(英語)
  • KANEKO TADAAKI
  • ASAOKA YASUSHI
  • SANO NAOKATSU
  • KWANSEI GAKUIN
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 428/446
  • 117/84
  • 428/698
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