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Field-effect transistor

外国特許コード F110003145
整理番号 A111-06US
掲載日 2011年6月17日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 95990501
公報番号 20020157949
公報番号 06833059
出願日 平成13年11月13日(2001.11.13)
公報発行日 平成14年10月31日(2002.10.31)
公報発行日 平成16年12月21日(2004.12.21)
国際出願番号 PCT/JP01/02394
国際公開番号 WO01/73421
国際出願日 平成13年3月26日(2001.3.26)
国際公開日 平成13年10月4日(2001.10.4)
優先権データ
  • 特願2000-085947 (2000.3.27) JP
発明の名称 (英語) Field-effect transistor
発明の概要(英語) An object is to provide a field effect transistor which uses a liquid electrolyte as a gate and which operates stably in the liquid electrolyte.A field effect transistor includes a channel (2) formed of a portion of a hydrogen-terminated surface of a diamond, the portion being exposed to the outside between a gate electrode (3) and a drain electrode (6); and a gate formed of a liquid electrolyte (4) in contact with the exposed portion of the hydrogen-terminated surface of the diamond.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Kawarada, Hiroshi; Yokohama [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 204/403.01
  • 257/253
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena AREA
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