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p channel filed effect transistor and sensor using the same

外国特許コード F110003148
整理番号 A111-35US
掲載日 2011年6月17日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 54976404
公報番号 20060254910
公報番号 07339212
出願日 平成18年7月10日(2006.7.10)
公報発行日 平成18年11月16日(2006.11.16)
公報発行日 平成20年3月4日(2008.3.4)
国際出願番号 PCT/JP2004/004196
国際公開番号 WO2004/086025
国際出願日 平成16年3月25日(2004.3.25)
国際公開日 平成16年10月7日(2004.10.7)
優先権データ
  • 特願2003-082986 (2003.3.25) JP
発明の名称 (英語) p channel filed effect transistor and sensor using the same
発明の概要(英語) A p channel field effect transistor in which the sensitivity of an enzyme can be enhanced by immobilizing the enzyme directly on an FET channel surface (diamond surface), as well as a sensor including the same, is provided. A diamond surface (22) having mixed hydrogen terminals, oxygen terminals, and amino terminals is treated under the action of glutaraldehyde OHC(CH2)3CHO (30), so that the glutaraldehyde (30) is immobilized on the diamond surface (22) having mixed hydrogen terminals, oxygen terminals, and amino terminals. Subsequently, urease (29) is further applied thereto, so that the amino group (31) of the urease (29) is bonded to the glutaraldehyde (30). That is, the urease (29) can be immobilized on the diamond surface (22) having mixed hydrogen terminals, oxygen terminals, and amino terminals. When the urea concentration is increased from 10-6 M to 10-2 M, the threshold voltage shifts by about 0.1 V in the positive direction, and the sensitivity to urea concentration of 30 mV/decade is exhibited.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Kawarada, Hiroshi; Yokohama [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi-shi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/253
  • 257/414
  • 257/E29.299
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena AREA
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