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DNA sensor

外国特許コード F110003150
整理番号 A111-43WO
掲載日 2011年6月17日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 66103305
公報番号 20080032294
公報番号 07851205
出願日 平成19年6月1日(2007.6.1)
公報発行日 平成20年2月7日(2008.2.7)
公報発行日 平成22年12月14日(2010.12.14)
国際出願番号 PCT/JP2005/014283
国際公開番号 WO2006/025180
国際出願日 平成17年8月4日(2005.8.4)
国際公開日 平成18年3月9日(2006.3.9)
優先権データ
  • 特願2004-250303 (2004.8.30) JP
発明の名称 (英語) DNA sensor
発明の概要(英語) A DNA sensor including a p-channel field-effect transistor having as a gate an electrolyte solution and having as a channel a diamond surface which contains a mixture of at least a hydrogen-terminated surface and a surface terminated by an amino group or a molecule with an amino group as an amino termination; a probe DNA constituted of a single-stranded DNA with known nucleotide sequence which is directly immobilized by a linker to the amino termination of the diamond surface; and a target DNA constituted of an unknown single-stranded DNA which is dropped on said diamond surface, wherein the hybridization of the target and probe is ascertained by detecting a shift of the threshold voltage of said p-channel field effect transistor toward positive direction which is due to increase in hole density of the p-channel resulting from doubling the negative electric charge of the phosphate groups upon hybridization.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Kawarada, Hiroshi; Yokohama [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi-shi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 435/287.2
  • 435/6
  • 257/243
  • 257/253
  • 536/24.3
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena AREA
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