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METHOD FOR PRODUCING GRAPHENE FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC ELEMENT, AND METHOD FOR TRANSFERRING GRAPHENE FILM TO SUBSTRATE

Foreign code F110003206
File No. K02909WO
Posted date Jun 22, 2011
Country WIPO
International application number 2010JP054602
International publication number WO 2010/110153
Date of international filing Mar 17, 2010
Date of international publication Sep 30, 2010
Priority data
  • P2009-080307 (Mar 27, 2009) JP
Title METHOD FOR PRODUCING GRAPHENE FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC ELEMENT, AND METHOD FOR TRANSFERRING GRAPHENE FILM TO SUBSTRATE
Abstract Disclosed is a method for producing a graphene film, by which a graphene film having a large area can be produced without requiring high temperatures. Also disclosed is a method for manufacturing an electronic element, wherein an FET circuit pattern can be easily formed on an electronic element substrate by means of a resist. The method for manufacturing an electronic element can be easily applied to an area-increasing process by integrating elements. Also disclosed is a method for transferring a graphene film to a substrate, wherein a graphene film having a large area can be isolated and a graphene film of a desired size can be transferred to a desired position of a substrate. The method for producing a graphene film is characterized by comprising a step wherein an amorphous carbon film is brought into contact with a liquid metal such as gallium, so that a graphene film is formed on the contact interface.
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】 アモルファスカーボン膜とガリウム、インジウム、スズ、およびアンチモンから選ばれる少なくとも1種の金属とを接触させ、接触界面にグラフェン膜を形成する工程を含むことを特徴とするグラフェン膜の製造方法。

【請求項2】 アモルファスカーボン膜とガリウムとを接触させ、接触界面にグラフェン膜を形成することを特徴とする請求項1に記載のグラフェン膜の製造方法。

【請求項3】 アモルファスカーボン膜は、有機膜を真空熱処理することによりアモルファス状に炭化させて得たものであることを特徴とする請求項1または2に記載のグラフェン膜の製造方法。

【請求項4】 アモルファスカーボン膜は、有機膜にアモルファスカーボンを蒸着し、次いで真空熱処理することにより有機膜をアモルファス状に炭化させて得たものであることを特徴とする請求項1または2に記載のグラフェン膜の製造方法。

【請求項5】 アモルファスカーボン膜をガリウム、インジウム、スズ、およびアンチモンから選ばれる少なくとも1種の液体金属の表面に転写し、次いで真空熱処理することによりグラフェン膜を形成することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のグラフェン膜の製造方法。

【請求項6】 液体金属が液体ガリウムであることを特徴とする請求項5に記載のグラフェン膜の製造方法。

【請求項7】 電子素子基板上にレジストを塗布し、電子回路に対応するレジストパターンを形成した後、このレジストパターンにガリウム、インジウム、スズ、およびアンチモンから選ばれる少なくとも1種の液体金属を接触させ、次いで真空熱処理することにより、レジストパターンをグラフェン化して電子回路を形成する工程を含むことを特徴とする電子素子の製造方法。

【請求項8】 液体金属が液体ガリウムであることを特徴とする請求項7に記載の電子素子の製造方法。

【請求項9】 請求項1から6のいずれかの方法によりアモルファスカーボン膜と金属との接触界面にグラフェン膜を形成した後、アモルファスカーボン膜を基板表面に接触させてグラフェン膜を基板に転写する工程を含むことを特徴とする基板へのグラフェン膜の転写方法。

【請求項10】 基板が電子素子基板であることを特徴とする請求項9に記載の基板へのグラフェン膜の転写方法。

【請求項11】 請求項1から6のいずれかの方法によりアモルファスカーボン膜と金属との接触界面にグラフェン膜を形成した後、アモルファスカーボン膜を中間媒体表面に接触させてグラフェン膜を中間媒体に転写する工程と、中間媒体に転写されたグラフェン膜を基板表面に接触させてグラフェン膜を基板に転写する工程とを含むことを特徴とする基板へのグラフェン膜の転写方法。

【請求項12】 基板および/または中間媒体に転写されたグラフェン膜上に残る金属を酸で洗浄除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の基板へのグラフェン膜の転写方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • FUJITA Jun-ichi
IPC(International Patent Classification)
Specified countries AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW,BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN(UTILITY MODEL),HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TH(PETTY PATENT),TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)
Reference ( R and D project ) (In Japanese)PRESTO Search for nanomanufacturing technology and its development AREA
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