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Laser device and lasing method

外国特許コード F110003349
整理番号 A241-28WO
掲載日 2011年6月23日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 58924304
公報番号 20090022192
公報番号 08175132
出願日 平成19年5月3日(2007.5.3)
公報発行日 平成21年1月22日(2009.1.22)
公報発行日 平成24年5月8日(2012.5.8)
国際出願番号 PCT/JP2004/011153
国際公開番号 WO2005/078881
国際出願日 平成16年8月11日(2004.8.11)
国際公開日 平成17年8月25日(2005.8.25)
優先権データ
  • 特願2004-037437 (2004.2.13) JP
発明の名称 (英語) Laser device and lasing method
発明の概要(英語) A laser device which causes lasing with a use of a semiconductor quantum dot is provided with: a laser member (11) in which the semiconductor quantum dot is formed; a resonator (14) for resonating light generated in the laser member (11); and a pump laser (15) for irradiating the laser member (11) with excitation light whose energy corresponds to two-photon resonant excitation, so as to form a biexciton state in the semiconductor quantum dot by the two-photon resonant excitation. In this way, a laser device which enables lasing using efficient light emission is realized.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Itoh, Tadashi; Toyonaka [JP]
  • Ashida, Masaaki; Ibaraki [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 372/69
  • 372/39
  • 372/40
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
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