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Group I-VII semiconductor single crystal thin film and process for producing same

外国特許コード F110003350
整理番号 A241-29WO
掲載日 2011年6月23日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 58900304
公報番号 20070090341
公報番号 07683457
出願日 平成18年8月10日(2006.8.10)
公報発行日 平成19年4月26日(2007.4.26)
公報発行日 平成22年3月23日(2010.3.23)
国際出願番号 PCT/JP2004/017777
国際公開番号 WO2005/078788
国際出願日 平成16年11月30日(2004.11.30)
国際公開日 平成17年8月25日(2005.8.25)
優先権データ
  • 特願2004-037441 (2004.2.13) JP
発明の名称 (英語) Group I-VII semiconductor single crystal thin film and process for producing same
発明の概要(英語) A CaF2 buffer layer (3) is formed on a CaF2 (111) substrate (2) by an MBE method. Furthermore, a CuCl thin film is grown on the CaF2 buffer layer (3) by the MBE method while irradiating it with an electron beam to form an electro beam irradiation film (1a). Subsequently, a CuCl thin film is grown by the MBE method without the irradiation of electron beam to form an electron beam non-irradiation film (1b), thereby thus forming a CuCl thin film (a) including the electron beam irradiation film (1a) and the electron beam non-irradiation film (1b). Consequently, a CuCl thin film (1) exhibiting high planarity and crystallinity can be formed.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Itoh, Tadashi; Toyonaka [JP]
  • Ashida, Masaaki; Ibaraki [JP]
  • Japan Science & Technology Agency, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/613
  • 257/E29.102
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
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