TOP > 外国特許検索 > MAGNETIC THIN FILM, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME

MAGNETIC THIN FILM, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME

外国特許コード F110003363
整理番号 A241-67WO
掲載日 2011年6月23日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 29852907
公報番号 20090097168
公報番号 08125745
出願日 平成19年4月27日(2007.4.27)
公報発行日 平成21年4月16日(2009.4.16)
公報発行日 平成24年2月28日(2012.2.28)
国際出願番号 WO2007JP59226
国際出願日 平成19年4月27日(2007.4.27)
優先権データ
  • 特願2006-123502 (2006.4.27) JP
発明の名称 (英語) MAGNETIC THIN FILM, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME
発明の概要(英語)

A magnetic thin film being ferromagnetic and exhibiting large spin polarization at room temperature is provided that comprises a substrate (2) and a Co2Fe(Si1-xAlx) thin film (3) formed on the substrate (2) where 0<x<1 and wherein the Co2Fe(Si1-xAlx) thin film (3) has a L21 or a B2 structure. There may be interposed a buffer layer (4) between the substrate (2) and the Co2Fe(Si1-xAlx) thin film (3). A tunneling magnetoresistance effect device and giant magnetoresistance effect device using such a magnetic thin film exhibit large TMR and GMR at room temperature, with low electric current and under low magnetic field. Using such a magnetoresistance effect device, a magnetic device and a magnetic apparatus such as a magnetic sensor, a magnetic head or MRAM are provided.

  • 発明者/出願人(英語)
  • INOMATA KOUICHIRO
  • TEZUKA NOBUKI
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • G9B/5.04
  • 360/324.1
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close