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Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

外国特許コード F110003365
整理番号 A242-23WO
掲載日 2011年6月23日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 57027904
公報番号 20070063304
公報番号 08502277
出願日 平成16年8月27日(2004.8.27)
公報発行日 平成19年3月22日(2007.3.22)
公報発行日 平成25年8月6日(2013.8.6)
国際出願番号 WO2004JP12402
国際出願日 平成16年8月27日(2004.8.27)
優先権データ
  • 特願2003-307798 (2003.8.29) JP
発明の名称 (英語) Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same
発明の概要(英語)

A sensor capable of detecting detection targets that are necessary to be detected with high sensitivity is provided. It comprises a field-effect transistor 1A having a substrate 2, a source electrode 4 and a drain electrode 5 provided on said substrate 2, and a channel 6 forming a current path between said source electrode 4 and said drain electrode 5

wherein said field-effect transistor 1A comprises: an interaction-sensing gate 9 for immobilizing thereon a specific substance 10 that is capable of selectively interacting with the detection targets

and a gate 7 applied a voltage thereto so as to detect the interaction by the change of the characteristic of said field-effect transistor 1A.

  • 発明者/出願人(英語)
  • MATSUMOTO KAZUHIKO
  • KOJIMA ATSUHIKO
  • NAGAO SATORU
  • KATOU MASANORI
  • YAMADA YUTAKA
  • NAGAIKE KAZUHIRO
  • IFUKU YASUO
  • MITANI HIROSHI
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • MATSUMOTO KAZUHIKO
  • KOJIMA ATSUHIKO
  • NAGAO SATORU
  • KATOU MASANORI
  • YAMADA YUTAKA
  • NAGAIKE KAZUHIRO
  • IFUKU YASUO
  • MITANI HIROSHI
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/462
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
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