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Single-electron transistor, field-effect transistor, sensor, method for producing sensor, and sensing method

外国特許コード F110003366
整理番号 A242-27WO
掲載日 2011年6月23日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 55806304
公報番号 20060273356
公報番号 07935989
出願日 平成18年8月15日(2006.8.15)
公報発行日 平成18年12月7日(2006.12.7)
公報発行日 平成23年5月3日(2011.5.3)
国際出願番号 PCT/JP2004/007300
国際公開番号 WO2004/104568
国際出願日 平成16年5月21日(2004.5.21)
国際公開日 平成16年12月2日(2004.12.2)
優先権データ
  • 特願2003-146480 (2003.5.23) JP
  • 特願2004-037866 (2004.2.16) JP
発明の名称 (英語) Single-electron transistor, field-effect transistor, sensor, method for producing sensor, and sensing method
発明の概要(英語) A single-electron transistor comprising at least a substrate, a source electrode and a drain electrode formed on top of the substrate opposing to each other, and a channel arranged between the source electrode is disclosed wherein the channel is composed of ultra fine fibers. By having such a constitution, a sensor can have excellent sensitivity.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Matsumoto, Kazuhiko; Tsukuba [JP]
  • Mukasa, Koichi; Sapporo [JP]
  • Ishii, Atsushi; Sapporo [JP]
  • Takeda, Seiji; Sapporo [JP]
  • Sawamura, Makoto; Sapporo [JP]
  • Subagyo, Agus; Sapporo [JP]
  • Hosoi, Hirotaka; Sapporo [JP]
  • Sueoka, Kazuhisa; Sapporo [JP]
  • Kida, Hiroshi; Sapporo [JP]
  • Sakoda, Yoshihiro; Sapporo [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi-shi [JP]
  • National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tokyo [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/253
  • 257/E51.04
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
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