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N-type transistor, production methods for n-type transistor and n-type transistor-use channel, and production method of nanotube structure exhibiting n-type semiconductor-like characteristics

外国特許コード F110003367
整理番号 A242-50WO
掲載日 2011年6月23日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 81587106
公報番号 20090008629
公報番号 07902089
出願日 平成19年10月5日(2007.10.5)
公報発行日 平成21年1月8日(2009.1.8)
公報発行日 平成23年3月8日(2011.3.8)
国際出願番号 PCT/JP2006/302349
国際公開番号 WO2006/085611
国際出願日 平成18年2月10日(2006.2.10)
国際公開日 平成18年8月17日(2006.8.17)
優先権データ
  • 特願2005-034476 (2005.2.10) JP
発明の名称 (英語) N-type transistor, production methods for n-type transistor and n-type transistor-use channel, and production method of nanotube structure exhibiting n-type semiconductor-like characteristics
発明の概要(英語) An object of the present invention is to provide a new n-type transistor, different from the prior art, using a channel having a nanotube-shaped structure, and having n-type semiconductive properties. To realize this, a film of a nitrogenous compound 6 is formed directly on a channel 5 of a transistor 1 comprising a source electrode 2, a drain electrode 3, a gate electrode 4 and the n-type channel 5 having a nanotube-shaped structure and provided between the source electrode 2 and the drain electrode 3.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Matsumoto, Kazuhiko; Ibaraki [JP]
  • Kojima, Atsuhiko; Ushiku [JP]
  • Nagao, Satoru; Ushiku [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi-shi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/791
  • 438/744
  • 257/E21.108
  • 257/E29.07
  • 257/24
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
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