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NONLINEAR RESISTOR CIRCUIT USING FLOATING GATE MOSFETS

外国特許コード F110003416
整理番号 A091-06EP
掲載日 2011年6月27日
出願国 欧州特許庁(EPO)
出願番号 03701832
公報番号 1469600
公報番号 1469600
出願日 平成15年1月22日(2003.1.22)
公報発行日 平成16年10月20日(2004.10.20)
公報発行日 平成19年6月27日(2007.6.27)
国際出願番号 PCT/JP2003/000513
国際公開番号 WO2003/063349
国際出願日 平成15年1月22日(2003.1.22)
国際公開日 平成15年7月31日(2003.7.31)
優先権データ
  • 特願2002-014989 (2002.1.24) JP
発明の名称 (英語) NONLINEAR RESISTOR CIRCUIT USING FLOATING GATE MOSFETS
  • 出願人(英語)
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • HORIO, Yoshihiko
  • FUJIWARA, Tetsuya
  • AIHARA, Kazuyuki
国際特許分類(IPC)
欧州特許分類/主・副
  • H03H11/52
  • H03H11/48
指定国 CH,DE,FR,GB,LI
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creating the Brain AREA
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