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FIELD-EFFECT TRANSISTOR

外国特許コード F110003425
整理番号 A111-06EP
掲載日 2011年6月27日
出願国 欧州特許庁(EPO)
出願番号 01915765
公報番号 1186885
公報番号 1186885
出願日 平成13年3月26日(2001.3.26)
公報発行日 平成14年3月13日(2002.3.13)
公報発行日 平成18年10月25日(2006.10.25)
国際出願番号 PCT/JP2001/002394
国際公開番号 WO2001/073421
国際出願日 平成13年3月26日(2001.3.26)
国際公開日 平成13年10月4日(2001.10.4)
優先権データ
  • 特願2000-085947 (2000.3.27) JP
発明の名称 (英語) FIELD-EFFECT TRANSISTOR
  • 出願人(英語)
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • Kawarada, Hiroshi
国際特許分類(IPC)
欧州特許分類/主・副
  • G01N27/414
指定国 DE,FR,GB
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena AREA
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