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FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SINGLE ELECTRON TRANSISTOR, AND SENSOR USING SAME

外国特許コード F110003635
整理番号 A242-23WO
掲載日 2011年6月30日
出願国 欧州特許庁(EPO)
出願番号 04772358
公報番号 1666873
出願日 平成16年8月27日(2004.8.27)
公報発行日 平成18年6月7日(2006.6.7)
国際出願番号 PCT/JP2004/012402
国際公開番号 WO2005/022134
国際出願日 平成16年8月27日(2004.8.27)
国際公開日 平成17年3月10日(2005.3.10)
優先権データ
  • 特願2003-307798 (2003.8.29) JP
発明の名称 (英語) FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SINGLE ELECTRON TRANSISTOR, AND SENSOR USING SAME
  • 出願人(英語)
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • MATSUMOTO, Kazuhiko
  • KOJIMA, Atsuhiko
  • NAGAO, Satoru
  • KATOU, Masanori
  • YAMADA, Yutaka
  • NAGAIKE, Kazuhiro
  • IFUKU, Yasuo
  • MITANI, Hiroshi
国際特許分類(IPC)
指定国 DE,ES,FR,GB
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
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