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AMORPHOUS OXIDE AND THIN FILM TRANSISTOR 実績あり

外国特許コード F110003742
整理番号 E06015US1
掲載日 2011年7月4日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 50411609
公報番号 20090278122
出願日 平成21年7月16日(2009.7.16)
公報発行日 平成21年11月12日(2009.11.12)
優先権データ
  • 特願2004-071477 (2004.3.12) JP
  • 特願2004-325938 (2004.11.10) JP
発明の名称 (英語) AMORPHOUS OXIDE AND THIN FILM TRANSISTOR 実績あり
発明の概要(英語) The present invention relates to an amorphous oxide and a thin film transistor using the amorphous oxide. In particular, the present invention provides an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3, and a thin film transistor using such an amorphous oxide. In a thin film transistor having a source electrode 6, a drain electrode 5, a gate electrode 4, a gate insulating film 3, and a channel layer 2, an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used in the channel layer 2.
  • 発明者/出願人(英語)
  • HOSONO, Hideo; Kanagawa [JP]
  • HIRANO, Masahiro; Tokyo [JP]
  • OTA, Hiromichi; Aichi [JP]
  • KAMIYA, Toshio; Kanagawa [JP]
  • NOMURA, Kenji; Tokyo [JP]
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY; Kawaguchi-shi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/43
  • 257/57
  • 257/E29.08
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA
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