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GROWTH OF PLANAR, NON-POLAR, GROUP-III NITRIDE FILMS 実績あり

外国特許コード F110003754
整理番号 E06701US1
掲載日 2011年7月4日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 20740708
公報番号 20090001519
公報番号 08450192
出願日 平成20年9月9日(2008.9.9)
公報発行日 平成21年1月1日(2009.1.1)
公報発行日 平成25年5月28日(2013.5.28)
優先権データ
  • 20050537385 (2005.6.3) US
  • 20020433844P (2002.12.16) US
  • 20020433843P (2002.12.16) US
発明の名称 (英語) GROWTH OF PLANAR, NON-POLAR, GROUP-III NITRIDE FILMS 実績あり
発明の概要(英語)

Growth methods for planar, non-polar, Group-III nitride films are described. The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques.

  • 発明者/出願人(英語)
  • HASKELL BENJAMIN A
  • FINI PAUL T
  • MATSUDA SHIGEMASA
  • CRAVEN MICHAEL D
  • DENBAARS STEVEN P
  • SPECK JAMES S
  • NAKAMURA SHUJI
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • THE JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER
  • HASKELL BENJAMIN A
  • FINI PAUL T
  • MATSUDA SHIGEMASA
  • CRAVEN MICHAEL D
  • DENBAARS STEVEN P
  • SPECK JAMES S
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/E21.097
  • 257/E21.108
  • 257/E21.121
  • 257/E29.089
  • 257/615
  • 438/483
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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