TOP > 外国特許検索 > Highly efficient group-III nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an N-face surface

Highly efficient group-III nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an N-face surface 実績あり

外国特許コード F110003758
整理番号 E06704WO
掲載日 2011年7月4日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 58194003
公報番号 20070121690
公報番号 07704763
出願日 平成18年6月7日(2006.6.7)
公報発行日 平成19年5月31日(2007.5.31)
公報発行日 平成22年4月27日(2010.4.27)
国際出願番号 PCT/US03/39211
国際公開番号 WO2005/064666
国際出願日 平成15年12月9日(2003.12.9)
国際公開日 平成17年7月14日(2005.7.14)
発明の名称 (英語) Highly efficient group-III nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an N-face surface 実績あり
発明の概要(英語) A gallium nitride (GaN) based light emitting diode (LED), wherein light is extracted through a nitrogen face (N-face) (42) of the LED and a surface of the N-face (42) is roughened into one or more hexagonal shaped cones. The roughened surface reduces light reflections occurring repeatedly inside the LED, and thus extracts more light out of the LED. The surface of the N-face (42) is roughened by an anisotropic etching, which may comprise a dry etching or a photo-enhanced chemical (PEC) etching.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Fujii, Tetsuo; Goleta CA [US]
  • Gao, Yan; Goleta CA [US]
  • Hu, Evelyn L.; Goleta CA [US]
  • Nakamura, Shuji; Santa Barbara CA [US]
  • The Regents of the University of California, Oakland CA [US]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama Prefecture [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/29
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close