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Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり

外国特許コード F110003761
整理番号 E06707US2
掲載日 2011年7月4日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 69745707
公報番号 20070184637
公報番号 07956360
出願日 平成19年4月6日(2007.4.6)
公報発行日 平成19年8月9日(2007.8.9)
公報発行日 平成23年6月7日(2011.6.7)
発明の名称 (英語) Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり
発明の概要(英語) A method of growing highly planar, fully transparent and specular m-plane gallium nitride (GaN) films. The method provides for a significant reduction in structural defect densities via a lateral overgrowth technique. High quality, uniform, thick m-plane GaN films are produced for use as substrates for polarization-free device growth.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Haskell, Benjamin A.; Santa Barbara CA [US]
  • McLaurin, Melvin B.; Goleta CA [US]
  • DenBaars, Steven P.; Goleta CA [US]
  • Speck, James Stephen; Goleta CA [US]
  • Nakamura, Shuji; Santa Barbara CA [US]
  • The Regents of the University of California, Oakland CA [US]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, Saitama Prefecture [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/64
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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