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Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO) 実績あり

外国特許コード F110003764
整理番号 E06713US2
掲載日 2011年7月4日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 04139808
公報番号 20080185690
公報番号 07955983
出願日 平成20年3月3日(2008.3.3)
公報発行日 平成20年8月7日(2008.8.7)
公報発行日 平成23年6月7日(2011.6.7)
発明の名称 (英語) Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO) 実績あり
発明の概要(英語) A method of reducing threading dislocation densities in non-polar such as a-{11-20} plane and m-{1-100} plane or semi-polar such as {10-1n} plane III-Nitrides by employing lateral epitaxial overgrowth from sidewalls of etched template material through a patterned mask. The method includes depositing a patterned mask on a template material such as a non-polar or semi polar GaN template, etching the template material down to various depths through openings in the mask, and growing non-polar or semi-polar III-Nitride by coalescing laterally from the tops of the sidewalls before the vertically growing material from the trench bottoms reaches the tops of the sidewalls. The coalesced features grow through the openings of the mask, and grow laterally over the dielectric mask until a fully coalesced continuous film is achieved.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Imer, Bilge M.; Goleta CA [US]
  • Speck, James S.; Goleta CA [US]
  • DenBaars, Steven P.; Goleta CA [US]
  • The Regents of the University of California, Oakland CA [US]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, Saitama Prefecture [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/698
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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