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Lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films 実績あり

外国特許コード F110003770
整理番号 E06717US1
掲載日 2011年7月4日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 48622406
公報番号 20070015345
公報番号 08148244
出願日 平成18年7月13日(2006.7.13)
公報発行日 平成19年1月18日(2007.1.18)
公報発行日 平成24年4月3日(2012.4.3)
発明の名称 (英語) Lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films 実績あり
発明の概要(英語) A lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films. The process steps include selecting a semipolar nitride plane and composition, selecting a suitable substrate for growth of the semipolar nitride plane and composition, and applying a selective growth process in which the semipolar nitride nucleates on some areas of the substrate at the exclusion of other areas of the substrate, wherein the selective growth process includes lateral growth of nitride material by a lateral epitaxial overgrowth (LEO), sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO), cantilever epitaxy or nanomasking.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Baker, Troy J.; Santa Barbara CA [US]
  • Haskell, Benjamin A.; Santa Barbara CA [US]
  • Speck, James S.; Goleta CA [US]
  • Nakamura, Shuji; Santa Barbara CA [US]
  • The Regents of the University of California, Oakland CA [US]
  • Japan Science and Technology Agency, [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/481
  • 257/E21.133
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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