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Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices 実績あり

外国特許コード F110003785
整理番号 E06736US2
掲載日 2011年7月4日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 91490610
公報番号 20110037052
公報番号 08178373
出願日 平成22年10月28日(2010.10.28)
公報発行日 平成23年2月17日(2011.2.17)
公報発行日 平成24年5月15日(2012.5.15)
発明の名称 (英語) Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices 実績あり
  • 発明者/出願人(英語)
  • Schmidt, Mathew C.; Santa Barbara CA [US]
  • Kim, Kwang Choong; Seoul [KR]
  • Sato, Hitsohi; Kanagawa [JP]
  • DenBaars, Steven P.; Goleta CA [US]
  • Speck, James S.; Goleta CA [US]
  • Nakamura, Shuji; Santa Barbara CA [US]
  • The Regents of the University of California, Oakland CA [US]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama Prefecture [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/29
  • 438/46
  • 257/102
  • 257/103
  • 257/E21.001
  • 257/E33.001
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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