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Method and apparatus for manufacturing semiconductor devices

外国特許コード F110003847
整理番号 K00704US
掲載日 2011年7月6日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 91637697
公報番号 06022813
出願日 平成9年8月22日(1997.8.22)
公報発行日 平成12年2月8日(2000.2.8)
優先権データ
  • 特願平08-232021 (1996.9.2) JP
発明の名称 (英語) Method and apparatus for manufacturing semiconductor devices
発明の概要(英語) There are disclosed a method and apparatus for manufacturing semiconductor devices. The surface of each semiconductor substrate is exposed to cyanide ions (CN-) in order to reduce the density of interface states at the insulating film/semiconductor interface. For this purpose, the semiconductor substrate is immersed into a cyan compound solution or is exposed to a cyan compound gas, so that cyanide ions (CN-) are bonded to dangling bonds at the surface of the semiconductor substrates. As a result, the interface states at the insulating film/semiconductor interface can be reduced.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Kobayashi, Hikaru; Kyoto [JP]
  • Yoneda, Kenji; Takatsuki [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, [JP]
  • Matsushita Electronics Corporation, [JP]
国際特許分類(IPC)
  • H01L045/80
米国特許分類/主・副
  • 438/778
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Fields and Reactions AREA
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