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Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり

外国特許コード F110003918
整理番号 E06712EP1
掲載日 2011年7月7日
出願国 欧州特許庁(EPO)
出願番号 10014011
公報番号 2315253
出願日 平成18年3月10日(2006.3.10)
公報発行日 平成23年4月27日(2011.4.27)
優先権データ
  • 660283P (2005.3.10) US
発明の名称 (英語) Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり
  • 出願人(英語)
  • The Regents of the University of California
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • Baker, Troy
  • Haskell, Benjamin, A
  • Fini, Paul, T
  • Denbaars, Steven, P
  • Speck, James, S
  • Nakamura, Shuji
国際特許分類(IPC)
欧州特許分類/主・副
  • C30B29/40B2
  • C30B25/02
  • C30B25/18
  • H01L21/20B4
指定国 AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HU,IE,IS,IT,LI,LT,LU,LV,MC,NL,PL,PT,RO,SE,SI,SK,TR
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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