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TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり

外国特許コード F110003919
整理番号 E06712WO
掲載日 2011年7月7日
出願国 欧州特許庁(EPO)
出願番号 06737745
公報番号 1869707
公報番号 1869707
出願日 平成18年3月10日(2006.3.10)
公報発行日 平成19年12月26日(2007.12.26)
公報発行日 平成24年6月13日(2012.6.13)
国際出願番号 PCT/US2006/008595
国際公開番号 WO2006/099138
国際出願日 平成18年3月10日(2006.3.10)
国際公開日 平成18年9月21日(2006.9.21)
優先権データ
  • 660283P (2005.3.10) US
発明の名称 (英語) TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり
  • 出願人(英語)
  • The Regents of the University of California
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • BAKER, Troy, J.
  • HASKELL, Benjamin, A.
  • FINI, Paul, T.
  • DENBAARS, Steven, P.
  • SPECK, James, S.
  • NAKAMURA, Shuji
国際特許分類(IPC)
欧州特許分類/主・副
  • C30B25/02
  • C30B25/18
  • C30B29/40B2
  • H01L21/02K4A1J
  • H01L21/02K4A7
  • H01L21/02K4C1B1
  • H01L21/02K4T2
  • H01L21/20B4
指定国 AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HU,IE,IS,IT,LI,LT,LU,LV,MC,NL,PL,PT,RO,SE,SI,SK,TR
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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