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TECHNIQUE FOR THE GROWTH AND FABRICATION OF SEMIPOLAR (GA,AL,IN,B)N THIN FILMS, HETEROSTRUCTURES, AND DEVICES 実績あり

外国特許コード F110003925
整理番号 E06722WO
掲載日 2011年7月7日
出願国 欧州特許庁(EPO)
出願番号 06771738
公報番号 1900013
出願日 平成18年6月1日(2006.6.1)
公報発行日 平成20年3月19日(2008.3.19)
国際出願番号 PCT/US2006/021128
国際公開番号 WO2006/130696
国際出願日 平成18年6月1日(2006.6.1)
国際公開日 平成18年12月7日(2006.12.7)
優先権データ
  • 686244P (2005.6.1) US
発明の名称 (英語) TECHNIQUE FOR THE GROWTH AND FABRICATION OF SEMIPOLAR (GA,AL,IN,B)N THIN FILMS, HETEROSTRUCTURES, AND DEVICES 実績あり
  • 出願人(英語)
  • The Regents of the University of California
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • FARRELL, Robert, M., Jr.
  • BAKER, Troy, J.
  • CHAKRABORTY, Arpan
  • HASKELL, Benjamin, A.
  • PATTISON, P., Morgan
  • SHARMA, Rajat
  • MISHRA, Umesh, K.
  • DENBAARS, Steven, P.
  • SPECK, James, S.
  • NAKAMURA, Shuji
国際特許分類(IPC)
欧州特許分類/主・副
  • H01L21/02K4A7
  • B82Y20/00
  • C30B23/02B
  • C30B25/18
  • C30B29/40B
  • H01L21/02K4A1J
  • H01L21/02K4B1B1
  • H01L21/02K4C1B1
  • H01L21/02K4C7
  • H01L33/00G3B2
指定国 AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HU,IE,IS,IT,LI,LT,LU,LV,MC,NL,PL,PT,RO,SE,SI,SK,TR,AL,BA,HR,MK,YU
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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