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TUNNEL TRANSISTOR HAVING SPIN-DEPENDENT TRANSFER CHARACTERISTIC AND NONVOLATILE MEMORY USING SAME

外国特許コード F110004008
整理番号 K02009WO
掲載日 2011年7月7日
出願国 欧州特許庁(EPO)
出願番号 04724405
公報番号 1610386
出願日 平成16年3月30日(2004.3.30)
公報発行日 平成17年12月28日(2005.12.28)
国際出願番号 PCT/JP2004/004512
国際公開番号 WO2004/088753
国際出願日 平成16年3月30日(2004.3.30)
国際公開日 平成16年10月14日(2004.10.14)
優先権データ
  • 特願2003-095600 (2003.3.31) JP
発明の名称 (英語) TUNNEL TRANSISTOR HAVING SPIN-DEPENDENT TRANSFER CHARACTERISTIC AND NONVOLATILE MEMORY USING SAME
  • 出願人(英語)
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • SUGAHARA, Satoshi
  • TANAKA, Masaaki
国際特許分類(IPC)
欧州特許分類/主・副
  • H01F10/32N4
  • B82Y10/00
  • B82Y25/00
  • G11C11/16
  • H01L27/22M4F
  • H01L29/66S
指定国 AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HU,IE,IT,LI,LU,MC,NL,PL,PT,RO,SE,SI,SK,TR,AL,LT,LV,MK
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanostructure and Material Property AREA
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