TOP > 外国特許検索 > SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

外国特許コード F110004117
整理番号 RP11P23EP
掲載日 2011年7月11日
出願国 欧州特許庁(EPO)
出願番号 02711222
公報番号 1361614
公報番号 1361614
出願日 平成14年1月24日(2002.1.24)
公報発行日 平成15年11月12日(2003.11.12)
公報発行日 平成24年11月7日(2012.11.7)
国際出願番号 WO2002JP00512
国際出願日 平成14年1月24日(2002.1.24)
優先権データ
  • 特願2001-017680 (2001.1.25) JP
発明の名称 (英語) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
発明の概要(英語)

In a semiconductor device using a silicon carbide substrate (1), the object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that is a buried channel region type transistor having hot-carrier resistance, high punch-through resistance and high channel mobility. This is achieved by using a method of manufacturing a buried channel type transistor using a P-type silicon carbide substrate that includes a step of forming a buried channel region, a source region and a drain region, a step of forming a gate insulation layer after the step of forming the buried channel region, source region and drain region, and a step of exposing the gate insulation layer to an atmosphere containing water vapor at a temperature of 500 DEG C or more after the step of forming the gate insulation layer.

The gate insulation layer is formed by a thermal oxidation method using dry oxygen. <IMAGE>

  • 出願人(英語)
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION
  • SANYO ELECTRIC CO., LTD
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCEAND TECHNOLOGY
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • FUKUDA, KENJI
  • ARAI, KAZUO
  • SENZAKI, JUNJI
  • HARADA, SHINSUKE
  • KOSUGI, RYOJI
  • ADACHI, K
  • SUZUKI, SEIJI
国際特許分類(IPC)
欧州特許分類/主・副
  • H01L21/04H10B
  • H01L29/66M4T
  • H01L29/78G
指定国 AT,BE,CH,CY,DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,LI,LU,MC,NL,PT,SE,TR
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close