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METHOD AND APPARATUS FOR GROWING HIGH QUALITY SINGLE CRYSTAL 実績あり

外国特許コード F110004171
整理番号 Y0002EP
掲載日 2011年7月12日
出願国 欧州特許庁(EPO)
出願番号 00927839
公報番号 1201793
公報番号 1201793
出願日 平成12年5月22日(2000.5.22)
公報発行日 平成14年5月2日(2002.5.2)
公報発行日 平成16年9月1日(2004.9.1)
国際出願番号 PCT/JP2000/003264
国際公開番号 WO2000/071786
国際出願日 平成12年5月22日(2000.5.22)
国際公開日 平成12年11月30日(2000.11.30)
優先権データ
  • 特願平11-178815 (1999.5.22) JP
発明の名称 (英語) METHOD AND APPARATUS FOR GROWING HIGH QUALITY SINGLE CRYSTAL 実績あり
  • 出願人(英語)
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • SASAKI, Takatomo
  • MORI, Yusuke
  • YOSHIMURA, Masashi
国際特許分類(IPC)
欧州特許分類/主・副
  • C30B15/00
  • C30B15/30B
  • C30B17/00
指定国 DE,FR,GB
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