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HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES HAVING SURFACE ROUGHENING 実績あり

外国特許コード F110004308
整理番号 E06704WO
掲載日 2011年7月13日
出願国 欧州特許庁(EPO)
出願番号 03819251
公報番号 1697983
公報番号 1697983
出願日 平成15年12月9日(2003.12.9)
公報発行日 平成18年9月6日(2006.9.6)
公報発行日 平成24年6月13日(2012.6.13)
国際出願番号 PCT/US2003/039211
国際公開番号 WO2005/064666
国際出願日 平成15年12月9日(2003.12.9)
国際公開日 平成17年7月14日(2005.7.14)
発明の名称 (英語) HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES HAVING SURFACE ROUGHENING 実績あり
  • 出願人(英語)
  • The Regents of The University of California
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • FUJII, Tetsuo
  • GAO, Yan
  • HU, Evelyn, L.
  • NAKAMURA, Shuji
国際特許分類(IPC)
欧州特許分類/主・副
  • H01L33/00G3B2
  • H01L33/00G3D
  • H01L33/22
  • H01L33/32
指定国 AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HU,IE,IT,LI,LU,MC,NL,PT,RO,SE,SI,SK,TR
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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