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LIGHT EMITTING DIODE AND SEMICONDUCTOR LASER

外国特許コード F110004407
整理番号 E06002CA
掲載日 2011年7月15日
出願国 カナダ
出願番号 2398377
公報番号 2398377
公報番号 2398377
出願日 平成13年1月24日(2001.1.24)
公報発行日 平成13年8月2日(2001.8.2)
公報発行日 平成18年4月11日(2006.4.11)
優先権データ
  • 特願2000-024843 (2000.1.28) JP
発明の名称 (英語) LIGHT EMITTING DIODE AND SEMICONDUCTOR LASER
発明の概要(英語)

An ultraviolet-light-emitting semiconductor diode comprising an n-type ZnO layer with luminous characteristics formed on a transparent substrate, and a p-typ e semiconductor layer selected from the group consisting of SrCu2O2, CuAlO2 an d CuGaO2, which is formed on the n-type ZnO layer to provide a p-n juncti on therebetween. The transparent substrate is preferably a single crystal substrate having atomically flat yttria-stabilized zirconia (YSZ) (III) surface. The n - type ZnO layer is formed on the transparent substrate having a temperature of 200 to 1200.degree.C, and the p-type semiconductor layer selected from the group of SrCu2O2, CuAlO 2 and CuGaO2 is formed on the n-type ZnO layer. The n-type ZnO layer may be form ed without heating the substrate, and then the surface of the ZnO layer may be irradiated with ultraviolet light to promote crystallization therein.

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION,
  • ORITA, MASAHIRO,
  • OTA, HIROMICHI
  • 発明者(英語)
  • ORITA, MASAHIRO,
  • OTA, HIROMICHI,
  • KAWAMURA, KENICHI,
  • SARUKURA, NOBUHIKO,
  • HIRANO, MASAHIRO,
  • HOSONO, HIDEO
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA
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