TOP > 外国特許検索 > Field-effect transistor, single electron transistor, and sensor using same

Field-effect transistor, single electron transistor, and sensor using same

外国特許コード F110004523
整理番号 A242-23WO
掲載日 2011年7月19日
出願国 中華人民共和国
出願番号 200480024620
公報番号 1842704
公報番号 100516854
出願日 平成16年8月27日(2004.8.27)
公報発行日 平成18年10月4日(2006.10.4)
公報発行日 平成21年7月22日(2009.7.22)
優先権データ
  • 特願2003-307798 (2003.8.29) JP
発明の名称 (英語) Field-effect transistor, single electron transistor, and sensor using same
発明の概要(英語)

A sensor for detecting a substance to be detected. The sensor includes a field-effect transistor (1A) having a substrate (2), a source electrode (4) and a drain electrode (5) both installed on the substrate (2), and a channel (6) to serve as a current path between the source electrode (4) and the drain electrode (5). The field-effect transistor (1A) further includes an interaction sensing gate (9) for immobilizing a specific substance (10) interactive selectively with the substance to be detected and a gate (7) to which a voltage is applied so that the interaction is detected as a characteristic variation of the field-effect transistor (1A). Such a structure enables a sensor to detect a substance to be detected with a high detection sensitivity.

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY
  • 発明者(英語)
  • MATSUMOTO KAZUHIKO,KOJIMA ATSUHIKO,NAGAO SATORU,KATOU MASANORI,YAMADA YUTAKA,NAGAIKE KAZUHIRO,IFUKUY,
  • MATSUMOTO KAZUHIKO,
  • KOJIMA ATSUHIKO,
  • NAGAO SATORU,
  • KATOU MASANORI,
  • YAMADA YUTAKA,
  • NAGAIKE KAZUHIRO,
  • IFUKU YASUO,
  • MITANI HIROSHI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close