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Amorphous oxide and thin film transistor 実績あり

外国特許コード F110004555
整理番号 E06015WO
掲載日 2011年7月19日
出願国 中華人民共和国
出願番号 200580007989
公報番号 1998087
公報番号 1998087
出願日 平成17年2月28日(2005.2.28)
公報発行日 平成19年7月11日(2007.7.11)
公報発行日 平成26年12月31日(2014.12.31)
国際出願番号 JP2005003273
国際公開番号 WO2005088726
国際出願日 平成17年2月28日(2005.2.28)
国際公開日 平成17年9月22日(2005.9.22)
優先権データ
  • 2005JP003273 (2005.2.28) WO
  • 特願2004-071477 (2004.3.12) JP
  • 特願2004-325938 (2004.11.10) JP
発明の名称 (英語) Amorphous oxide and thin film transistor 実績あり
発明の概要(英語) The invention relates to an amorphous oxide and a thin film transistor using the amorphous oxide.
More specifically, providing an amorphous oxide having an electron carrier concentration of less than 10<18>/cm<3> and a thin film transistor using the amorphous oxide.
The thin film transistor is provided with a source electrode (6), a drain electrode (5), a gate electrode (4), a gate insulating film (3) and a channel layer (2).
As the channel layer (2), the amorphous oxide having an electron carrier concentration of less than 10<18>/cm<3> is used.
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • HOSONO HIDEO
  • HIRANO MASAHIRO
  • KAMIYA TOSHIO
  • NOMURA KENJI
  • OTA HIROMICHI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA
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