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Non-polarity (Al, B, Inc, Ga) N Quantum pit 実績あり

外国特許コード F110004558
整理番号 E06703WO
掲載日 2011年7月19日
出願国 中華人民共和国
出願番号 200380110999
公報番号 1894771
公報番号 1894771
出願日 平成15年12月11日(2003.12.11)
公報発行日 平成19年1月10日(2007.1.10)
公報発行日 平成24年7月4日(2012.7.4)
優先権データ
  • 20030413690 (2003.4.15) US
  • 20030413691 (2003.4.15) US
  • 20030413913 (2003.4.15) US
発明の名称 (英語) Non-polarity (Al, B, Inc, Ga) N Quantum pit 実績あり
発明の概要(英語)

A method of fabricating non-polar a-plane gaN / (a1,b,in,ga)n multiple quantum wells (mqw). The a-plane mqw are grown on the appropriate gaN / sapphire template layers via metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) with well widths ranging from 20 aa to 70 aa. The room temperature photoluminescence (pl) emission energy from the a-plane mqw followed a square well trend modeled using self-consistent poisson-schrodinger (scps) calculations. Optimal pl emission intensity is obtained at a quantum well width of 52 aa for the a-plane mqw.

  • 出願人(英語)
  • UNIV. CALIFORNIA
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • MICHAEL CRAVEN,STEVEN DENBAARS
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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