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Highly efficient (B, Al, Ga, In) N based light emitting diodes via surface roughening 実績あり

外国特許コード F110004560
整理番号 E06704WO
掲載日 2011年7月19日
出願国 中華人民共和国
出願番号 200380110945
公報番号 1886827
公報番号 100521120
出願日 平成15年12月9日(2003.12.9)
公報発行日 平成18年12月27日(2006.12.27)
公報発行日 平成21年7月29日(2009.7.29)
発明の名称 (英語) Highly efficient (B, Al, Ga, In) N based light emitting diodes via surface roughening 実績あり
発明の概要(英語)

A gallium nitride (GaN) based light emitting diode (LED), wherein light is extracted through a nitrogen face (N-face) (42) of the LED and a surface of the N-face (42) is roughened into one or more hexagonal shaped cones. The roughened surface reduces light reflections occurring repeatedly inside the LED, and thus extracts more light out of the LED. The surface of the N-face (42) is roughened by an anisotropic etching, which may comprise a dry etching or a photo-enhanced chemical (PEC) etching.

  • 出願人(英語)
  • UNIV. CALIFORNIA,
  • JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • 発明者(英語)
  • FUJII T.,GAO Y.,HU E. L.,NAKAMURA S
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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