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Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり

外国特許コード F110004562
整理番号 E06712WO
掲載日 2011年7月19日
出願国 中華人民共和国
出願番号 200680007694
公報番号 101138091
公報番号 101138091
出願日 平成18年3月10日(2006.3.10)
公報発行日 平成20年3月5日(2008.3.5)
公報発行日 平成22年5月19日(2010.5.19)
優先権データ
  • 20050660283P (2005.3.10) US
発明の名称 (英語) Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり
  • 出願人(英語)
  • UNIV CALIFORNIA
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • CHAKRABORTY ARPAN,
  • KELLER STACIA,
  • SPECK JAMES,
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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