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Field-effect transistor, single electron transistor, and sensor using same

外国特許コード F110004749
整理番号 A242-23TW
掲載日 2011年7月21日
出願国 台湾
出願番号 93125771
公報番号 200519379
公報番号 I261114
出願日 平成16年8月27日(2004.8.27)
公報発行日 平成17年6月16日(2005.6.16)
公報発行日 平成18年9月1日(2006.9.1)
優先権データ
  • 特願2003-307798 (2003.8.29) JP
発明の名称 (英語) Field-effect transistor, single electron transistor, and sensor using same
発明の概要(英語)

A sensor for detecting a substance to be detected. The sensor includes a field-effect transistor (1A) having a substrate (2), a source electrode (4) and a drain electrode (5) both installed on the substrate (2), and a channel (6) to serve as a current path between the source electrode (4) and the drain electrode (5). The field-effect transistor (1A) further includes an interaction sensing gate (9) for immobilizing a specific substance (10) interactive selectively with the substance to be detected and a gate (7) to which a voltage is applied so that the interaction is detected as a characteristic variation of the field-effect transistor (1A). Such a structure enables a sensor to detect a substance to be detected with a high detection sensitivity.

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • MATSUMOTO, KAZUHIKO,
  • KOJIMA, ATSUHIKO,
  • NAGAO, SATORU,
  • KATOU, MASANORI,
  • YAMADA, YUTAKA+
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
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