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N-TYPE TRANSISTOR, PRODUCTION METHODS FOR N-TYPE TRANSISTOR SENSOR AND N-TYPE TRANSISTOR-USE CHANNEL, AND PRODUCTION METHOD OF NANOTUBE STRUCTURE EXHIBITING N-TYPE SEMICONDUCTOR-LIKE CHARACTERISTICS

外国特許コード F110004771
整理番号 A242-50WO
掲載日 2011年7月21日
出願国 大韓民国
出願番号 20077017724
公報番号 20070095991
公報番号 100924668
出願日 平成18年2月10日(2006.2.10)
公報発行日 平成19年10月1日(2007.10.1)
公報発行日 平成21年11月3日(2009.11.3)
優先権データ
  • 特願2005-034476 (2005.2.10) JP
発明の名称 (英語) N-TYPE TRANSISTOR, PRODUCTION METHODS FOR N-TYPE TRANSISTOR SENSOR AND N-TYPE TRANSISTOR-USE CHANNEL, AND PRODUCTION METHOD OF NANOTUBE STRUCTURE EXHIBITING N-TYPE SEMICONDUCTOR-LIKE CHARACTERISTICS
発明の概要(英語)

In a transistor using a nanotube structure as a channel, a novel, unique n-type transistor having a channel with n-type semiconductor-like characteristics is provided. To achieve this, a nitride compound film (6) is directly formed on the channel (5) of a transistor (1) comprising a source electrode (2), a drain electrode (3), a gate electrode (4), and an n-type channel (5) disposed between the source electrode (2) and the drain electrode (3) and formed of a nanotube structure.

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • MATSUMOTO KAZUHIKO,
  • KOJIMA ATSUHIKO,
  • NAGAO SATORU
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
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