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HIGHLY EFFICIENT GROUP-III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA FABRICATION OF STRUCTURES ON AN N-FACE SURFACE

外国特許コード F110004792
整理番号 E06704KR1
掲載日 2011年7月21日
出願国 大韓民国
出願番号 20117004218
公報番号 20110031248
公報番号 101154494
出願日 平成15年12月9日(2003.12.9)
公報発行日 平成23年3月24日(2011.3.24)
公報発行日 平成24年6月13日(2012.6.13)
発明の名称 (英語) HIGHLY EFFICIENT GROUP-III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA FABRICATION OF STRUCTURES ON AN N-FACE SURFACE
  • 出願人(英語)
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA,
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • FUJII TETSUO,
  • GAO YAN,
  • HU EVELYN L,
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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