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Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり

外国特許コード F110004793
整理番号 E06707WO
掲載日 2011年7月21日
出願国 大韓民国
出願番号 20077000164
公報番号 20070051831
公報番号 101332391
出願日 平成19年1月3日(2007.1.3)
公報発行日 平成19年5月18日(2007.5.18)
公報発行日 平成25年11月18日(2013.11.18)
国際出願番号 PCT/US2005/018823
国際公開番号 WO 2005/122267
国際出願日 平成17年5月31日(2005.5.31)
国際公開日 平成17年12月22日(2005.12.22)
優先権データ
  • 20040576685P (2004.6.3) US
発明の名称 (英語) Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり
発明の概要(英語) In elevation, the method of growing the m- of the reflexibility gallium nitride (GaN) films it is completely fair it is plane is provided. The method remarkably reduces the structural defect density through the lateral overgrowth technology. It is the high definition. It is uniform. And the thick m- GaN films are used for the non-polar device growth subtrate.
  • 出願人(英語)
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • HASKELL, Benjamin A.
  • MCLAURIN, Melvin B.
  • DENBAARS, Steven P.
  • SPECK, James S.
  • NAKAMURA, Shuji
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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