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TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり

外国特許コード F110004794
整理番号 E06712WO
掲載日 2011年7月21日
出願国 大韓民国
出願番号 20077023104
公報番号 20070120982
公報番号 101145755
出願日 平成18年3月10日(2006.3.10)
公報発行日 平成19年12月26日(2007.12.26)
公報発行日 平成24年5月16日(2012.5.16)
優先権データ
  • 20050660283P (2005.3.10) US
発明の名称 (英語) TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり
発明の概要(英語)

A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {1011} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {1122} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate, and (4) {1013} gallium nitride (GaN) grown on a {1100} sapphire substrate.

  • 出願人(英語)
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA,
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • BAKER TROY J,
  • HASKELL BENJAMIN A,
  • FINI PAUL T,
  • DENBAARS STEVEN P,
  • SPECK JAMES S,
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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