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(AL,GA,IN)N AND ZNO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECTRONIC APPLICATION AND ITS FABRICATION METHOD 実績あり

外国特許コード F110004796
整理番号 E06715WO
掲載日 2011年7月21日
出願国 大韓民国
出願番号 20087001201
公報番号 20080030020
出願日 平成20年1月15日(2008.1.15)
公報発行日 平成20年4月3日(2008.4.3)
優先権データ
  • 20050691710P (2005.6.17) US
  • 20050732319P (2005.11.1) US
  • 20060764881P (2006.2.3) US
発明の名称 (英語) (AL,GA,IN)N AND ZNO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECTRONIC APPLICATION AND ITS FABRICATION METHOD 実績あり
発明の概要(英語)

An (Al, Ga, In)N and ZnO direct wafer bonded light emitting diode (LED), wherein light passes through electrically conductive ZnO. Flat and clean surfaces are prepared for both the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers. A wafer bonding process is then performed between the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers, wherein the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers are joined together and then wafer bonded in a nitrogen ambient under uniaxial pressure at a set temperature for a set duration. After the wafer bonding process, ZnO is shaped for increasing light extraction from inside of LED.

  • 出願人(英語)
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA,
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • MURAI AKIHIKO,
  • CHEN CHRISTINA YE,
  • THOMPSON DANIEL B,
  • MCCARTHY LEE S,
  • DENBAARS STEVEN P,
  • NAKAMURA SHUJI,
  • MISHRA UMESH K
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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