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Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices 実績あり

外国特許コード F110004799
整理番号 E06722WO
掲載日 2011年7月21日
出願国 大韓民国
出願番号 20077030909
公報番号 20080025096
公報番号 101351396
出願日 平成18年6月1日(2006.6.1)
公報発行日 平成20年3月19日(2008.3.19)
公報発行日 平成26年2月7日(2014.2.7)
国際出願番号 US2006021128
国際公開番号 WO2006130696
国際出願日 平成18年6月1日(2006.6.1)
国際公開日 平成18年12月7日(2006.12.7)
優先権データ
  • 60/686,244P (2005.6.1) US
  • 2006US021128 (2006.6.1) WO
発明の名称 (英語) Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices 実績あり
発明の概要(英語) A method for growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices, comprising identifying desired material properties for a particular device application, selecting a semipolar growth orientation based on the desired material properties, selecting a suitable substrate for growth of the selected semipolar growth orientation, growing a planar semipolar (Ga,Al,In,B)N template or nucleation layer on the substrate, and growing the semipolar (Ga,Al,In,B) N thin films, heterostructures or devices on the planar semipolar (Ga,Al, In,B)N template or nucleation layer.
The method results in a large area of the semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices being parallel to the substrate surface. ® KIPO & WIPO 2008
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • 発明者(英語)
  • FARRELL ROBERT M JR
  • BAKER TROY J
  • CHAKRABORTY ARPAN
  • HASKELL BENJAMIN A
  • PATTISON P MORGAN
  • SHARMA RAJAT
  • MISHRA UMESH K
  • DENBAARS STEVEN P
  • SPECK JAMES S
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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