TOP > 外国特許検索 > Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition

Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition 実績あり

外国特許コード F110004800
整理番号 E06723WO
掲載日 2011年7月21日
出願国 大韓民国
出願番号 20087008498
公報番号 20080063766
公報番号 101347848
出願日 平成18年9月8日(2006.9.8)
公報発行日 平成20年7月7日(2008.7.7)
公報発行日 平成26年1月6日(2014.1.6)
国際出願番号 US2006035012
国際公開番号 WO2007030709
国際出願日 平成18年9月8日(2006.9.8)
国際公開日 平成19年3月15日(2007.3.15)
優先権データ
  • 60/715,491P (2005.9.9) US
  • 2006US035012 (2006.9.8) WO
発明の名称 (英語) Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition 実績あり
発明の概要(英語) A method for growing a semi-polar nitride semiconductor thin film via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on a substrate, wherein a nitride nucleation or buffer layer is grown on the substrate prior to the growth of the semi-polar nitride semiconductor thin film.
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • 発明者(英語)
  • IZA MICHAEL
  • BAKER TROY J
  • HASKELL BENJAMIN A
  • DENBAARS STEVEN P
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close