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Method for improved growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N 実績あり

外国特許コード F110004801
整理番号 E06725WO
掲載日 2011年7月21日
出願国 大韓民国
出願番号 20087020383
公報番号 20080096783
公報番号 101510461
出願日 平成19年1月19日(2007.1.19)
公報発行日 平成20年11月3日(2008.11.3)
公報発行日 平成27年4月8日(2015.4.8)
国際出願番号 US2007001699
国際公開番号 WO2007084782
国際出願日 平成19年1月19日(2007.1.19)
国際公開日 平成19年7月26日(2007.7.26)
優先権データ
  • 60/760,739P (2006.1.20) US
  • 2007US001699 (2007.1.19) WO
発明の名称 (英語) Method for improved growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N 実績あり
発明の概要(英語) A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate.
Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.
  • 出願人(英語)
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • KAEDING JOHN F
  • IZA MICHAEL
  • BAKER TROY J
  • SATO HITOSHI
  • HASKELL BENJAMIN A
  • SPECK JAMES S
  • DENBAARS STEVEN P
  • NAKAMURA SHUJI
  • LEE DONG SEON
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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