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AMORPHOUS OXIDE AND THIN FILM TRANSISTOR 実績あり

外国特許コード F110004821
整理番号 E06015WO
掲載日 2011年7月22日
出願国 大韓民国
出願番号 20067017632
公報番号 20060123765
公報番号 101019337
出願日 平成17年2月28日(2005.2.28)
公報発行日 平成18年12月4日(2006.12.4)
公報発行日 平成23年3月7日(2011.3.7)
優先権データ
  • 特願2004-071477 (2004.3.12) JP
  • 特願2004-325938 (2004.11.10) JP
発明の名称 (英語) AMORPHOUS OXIDE AND THIN FILM TRANSISTOR 実績あり
発明の概要(英語)

An amorphous oxide and a thin film transistor using the amorphous oxide. More specifically, an amorphous oxide having an electron carrier concentration of less than 1018 /cm3 and a thin film transistor using the amorphous oxide. The thin film transistor is provided with a source electrode (6), a drain electrode (5), a gate electrode (4), a gate insulating film (3) and a channel layer (2). As the channel layer (2), the amorphous oxide having an electron carrier concentration of less than 1018/cm3 is used.

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • HOSONO HIDEO,
  • HIRANO MASAHIRO,
  • OTA HIROMICHI,
  • KAMIYA TOSHIO,
  • NOMURA KENJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA
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