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GROWTH OF PLANAR, NON-POLAR GALLIUM NITRIDE BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY 実績あり

外国特許コード F110004822
整理番号 E06701WO
掲載日 2011年7月22日
出願国 大韓民国
出願番号 20057011014
公報番号 20050088437
公報番号 101086155
出願日 平成15年7月15日(2003.7.15)
公報発行日 平成17年9月6日(2005.9.6)
公報発行日 平成23年11月25日(2011.11.25)
優先権データ
  • 20020433843P (2002.12.16) US
  • 20020433844P (2002.12.16) US
発明の名称 (英語) GROWTH OF PLANAR, NON-POLAR GALLIUM NITRIDE BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY 実績あり
発明の概要(英語)

Highly planar non-polar a-plane GaN films are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques.

  • 出願人(英語)
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA,
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • HASKELL BENJAMIN A,
  • FINI PAUL T,
  • MATSUDA SHIGENMASA,
  • CRAVEN MICHAEL D,
  • DENBAARS STEVEN P,
  • SPECK JAME S,
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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