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NON-POLAR (Al,B,In,Ga)N QUANTUM WELLS 実績あり

外国特許コード F110004823
整理番号 E06703WO
掲載日 2011年7月22日
出願国 大韓民国
出願番号 20067013966
公報番号 20060131802
公報番号 101074852
出願日 平成18年7月11日(2006.7.11)
公報発行日 平成18年12月20日(2006.12.20)
公報発行日 平成23年10月12日(2011.10.12)
国際出願番号 PCT/US2003/039355
国際公開番号 WO 2005/064643
国際出願日 平成15年12月11日(2003.12.11)
国際公開日 平成17年7月14日(2005.7.14)
発明の名称 (英語) NON-POLAR (Al,B,In,Ga)N QUANTUM WELLS 実績あり
発明の概要(英語) As the method of manufacturing the non-polar a- the GaN / (Al,B,In,Ga) N multi-quantum well (MQW), it grew in the GaN / sapphire template layer done through the MOCVD called in the a- MQW, the range of the well width 70Å in about 20Å with desirable. Using the room temperature PL emitting energy from the a- MQW is SCPS, the tendency of the modeled square well was followed. The PL emissive power done with desirable is obtained through the quantum well width of 52Å for the a- MQW.


The quantum well, (Al, B, In, Ga) N, the emitting energy, the sapphire substrate, the recombinant efficiency, the annealing, the deposition, the thin film .
  • 出願人(英語)
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • CRAVEN, Michael, D.
  • DENBAARS, Steven, P.
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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