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HIGHLY EFFICIENT GROUP-III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA FABRICATION OF STRUCTURES ON AN N-FACE SURFACE 実績あり

外国特許コード F110004824
整理番号 E06704WO
掲載日 2011年7月22日
出願国 大韓民国
出願番号 20067013748
公報番号 20060131799
公報番号 101156146
出願日 平成15年12月9日(2003.12.9)
公報発行日 平成18年12月20日(2006.12.20)
公報発行日 平成24年6月18日(2012.6.18)
発明の名称 (英語) HIGHLY EFFICIENT GROUP-III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA FABRICATION OF STRUCTURES ON AN N-FACE SURFACE 実績あり
発明の概要(英語)

A gallium nitride (GaN) based light emitting diode (LED), wherein light is extracted through a nitrogen face (N-face) (42) of the LED and a surface of the N-face (42) is roughened into one or more hexagonal shaped cones. The roughened surface reduces light reflections occurring repeatedly inside the LED, and thus extracts more light out of the LED. The surface of the N-face (42) is roughened by an anisotropic etching, which may comprise a dry etching or a photo- enhanced chemical (PEC) etching.

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY,
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • 発明者(英語)
  • FUJII TETSUO,
  • GAO YAN,
  • HU EVELYN L,
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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